檢索結果：共3筆資料 檢索策略： "Selectivity".ekeyword (精準) and ckeyword.raw="選擇性成長"
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本論文藉由反應性濺鍍的方法，研究在濺鍍矽網印於SA(100)及SA(012)基板上，選擇性區域成長二氧化釕奈米桿。二氧化釕奈米桿垂直成長於SA(100)基板上，傾斜35o成長於SA(012)基板，利…
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此研究利用接觸角量測儀以及X光電子能譜儀驗證阻擋層對於圖案化ITO玻璃基板具有良好選擇性，從而有效阻止矽烷基團與ITO表面進行鍵結，而利用移除試劑移除後，電極功函數與原先之差異並不大。並探討兩種相反…
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摘 要 此論文利用兩年時間研究二氧化釕、二氧化銥奈米桿化學氣相沉積在Zn/Si、LiNbO3(100)、SA(012)、SA(100)基材表面的選區成長。這些一維奈米桿垂直陣列於LiNbO3(…